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三星电子和SK海力士等全球DRAM巨头正在加速推进 3DDRAM的商用化，但远不如美光公司（从2019年开始进行3DDRAM研究，获得的专利数量是两家公司的2~3倍）。

12日，韩国半导体业界消息称，三星电子和SK海力士的主要半导体负责人最近在半导体会议上表示将加速3DDRAM商业化，他们认为3DDRAM是克服DRAM物理局限性的一种方法。

在首尔江南区三成洞韩国贸易中心举行的“IEEEEDTM2023”上，三星电子半导体研究所副社长兼工艺开发室室长李钟明表示:“3DDRAM被认为是半导体产业的未来增长动力。”

此外，负责SK海力士未来技术研究所的SK海力士副总经理车善龙也表示：“将于明年公开3DDRAM的电子特性细节，从而确定开发方向。”

图源Pixabay

3DDRAM是一种采用全新结构的存储芯片。简单来说，现有DRAM产品开发的重点是通过减小电路线宽来提高密度，但随着线宽进入10nm范围，业界开始面临电容器漏电和干扰等物理限制。为了避免或削弱这种影响，业界引进了高介电常数(高K)沉积材料和极紫外(EUV)设备等新材料和设备。但半导体行业认为，制造10nm或更先进芯片的小型芯片将为制造商带来巨大挑战。

三星电子和SK海力士今年实现量产的高端DRAM线宽为12纳米。考虑到目前DRAM线宽微缩至1nm将面临的情况，业界认为3~4年后新型DRAM商品化将会是一种必然，而不是一种方向。

当然，与现有的DRAM市场不同，据所知3DDRAM市场目前还没有绝对的领导者，因此快速量产才是至关重要的。随着ChatGPT等人工智能应用产品的活跃，业界也开始增加对高性能、大容量存储半导体的需求。

相信随着三星电子和SK海力士开始加快3DDRAM技术的商用化，我们未来也将会更多厂商甚至中国厂商推出类似的技术方案和产品，敬请期待。

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